HfO 2 因其独特的铁电性能和兼容性，已成为抗辐照大规模存储器的新型材料。然而，HfO 2 铁电相容易受到氧空位与电荷的影响，使其在高辐照环境下面临着铁电特性分散化的潜在威胁，因此，研究辐照位移损伤及其影响对HfO 2 基铁电存储的大规模制造与应用意义 ...

因应人工智能、物联网、5G、车载等新兴科技所迎来的巨量资讯分析需求，近年来各国政府及国际知名大厂皆积极地投注大量资源，加速开发兼具提升运算速度以及降低耗能的下世代存储器。而新兴存储器技术选项中，当属铁电存储器最被看好，其原理、技术 ...

弄水临深，曲沙徊转 涡旋拓扑都江堰 淬岩高筑一离堆，浑流难蚀幽崖岸 物理常恒，山川演变 人间自有天行健 宝瓶收浪吭涛歌，津关岷蜀无涔旱 凝聚态物理在其前身“固体物理”主政时期，麾下主要的家族成员是金属、半导体和晶格，排演的节目主唱“能带论 ...

本研究通过旋涂法在晶体硅表面成功制备单层CeO2、双层CeO2/HfO2及三层CeO2/HfO2/SiO2减反射涂层（ARC），结构表征证实薄膜均匀性 ...

本文报道了一种创新的室温无卤素原子层刻蚀（ALE）技术，通过交替使用N2等离子体氮化与O2等离子体氧化，实现了HfO2薄膜的亚原子级精度刻蚀（0.23-1.07 ?/cycle）。该技术通过形成挥发性硝酸铪副产物，解决了传统卤素刻蚀的副产物非挥发性难题，同时显著降低 ...

Journal of Materiomics 于2025年推出HfO2基薄膜与器件专刊。该专刊特邀中国科学技术大学李晓光教授、韩国首尔大学Min Hyuk Park副教授、香港理工大学戴吉岩教授、中国科学技术大学殷月伟教授担任特邀编辑，共刊出9篇精选佳作。 HfO2基薄膜因其高介电常数、强铁电性 ...

中科院微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队与中国科学院物理所杜世萱研究员团队合作，发现了一种稳定的铁电三方相Hf(Zr)1+xO2材料结构，这种结构降低了HfO2基铁电材料中铁电偶极子的翻转势垒。 互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的 ...